Die P-Type und N-Type Technologie unterscheidet sich
durch den Aufbau der Wafer
Die Unterseite des Wafers ist positiv geladen und mit Bor dotiert, mit einem Elektron weniger als Silizium.
Dahingegen ist die Oberseite des Wafers negativ geladen. Die Wafer ist mit Phosphor dotiert und enthält ein Elektron
mehr als Silizium.
Die Unterseite des Wafers ist negativ geladen und mit Phosphor dotiert, mit einem Elektron mehr als Silizium.
Dahingegen ist die Oberseite des Wafers positiv geladen. Die Wafer ist mit Bor dotiert und enthält ein Elektron weniger als Silizium.